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吕全江
发布日期：2023-03-28　　　浏览次数：
姓　　名 吕全江出生年月 1989.09

政治面貌 党员最高学位 博士
职　　称 讲师任职年月 2020.08
职　　务  任职年月  
所在学科  博导/硕导 硕导
研究领域 1、GaN基发光材料与器件，主要研究GaN基发光二极管结构设计与器件工艺、GaN基异质结构设计与表征、器件物理与可靠性等
2、传感材料与器件，研究定位于应用MEMS微纳加工技术制备先进智能传感器的相关基础应用研究，面向国家重点产业需求，重点研究新型智能红外传感器应用于农业感知与农业传感等
学术与社会任职  
科研项目 在研项目
1、基于位错微区调控提升高位错密度GaN材料击穿性能的研究，主持，2022-2024，国家自然科学基金青年基金
2、基于非对称光学微腔的谷极化发光手性调控研究，参与，2023-2025国家自然科学基金面上项目
结题项目
主要论著 论文
1、Quanjiang Lv, Junlin Liu, Chunlan Mo, Jianli Zhang, Xiaoming Wu, Qingfeng Wu, Fengyi Jiang. Realization of Highly Efficient InGaN Green LEDs with Sandwich-like Multiple Quantum Well Structure: Role of Enhanced Interwell Carrier Transport. ACS Photonics, 2019, 6, 1, 130–138.
2、Quanjiang Lv, Jiangdong Gao*, Xixia Tao, Jianli Zhang, Chunlan Mo, Xiaolan Wang, Changda Zheng, Junlin Liu. Analysis of dominant non-radiative recombination mechanisms in InGaN green LEDs grown on silicon substrates. Journal of Luminescence,2020,117186.
3、Quanjiang Lv, Chunlan Mo, Jianli Zhang, Xiaoming Wu, Junlin Liu,Fengyi Jiang. Effect of Quantum Well Structure on The Efficiency Droop of V-pits-containing InGaNGaN Blue LED. Chinese Journal of Luminescence,2017,07-0923
4、Quanjiang Lv,Yihong Zhang,Changda Zheng,Jiangdong Gao,Jianli Zhang,
Junlin Liu. Analysis of stress-induced inhomogeneous electroluminescence in GaN-based green LEDs grown on mesh-patterned Si (111) substrates with n-type AlGaN layer.Chinese Physics B,2020, 087801
5、Yihong Zhang, Quanjiang Lv, Changda Zheng, Jiangdong Gao, Jianli Zhang, Junlin Liu. Recombination pathways and hole leakage behavior in InGaN/GaN multiple quantum wells with V-shaped pits. Superlattices and Microstructures, 2019, 106284.
6、Yiwei Cao, Quanjiang Lv, Tianpeng Yang, Tingting Mi, Xiaowen Wang, Wei Liu, Junlin Liu.Improved hole injection and carrier distribution in AlGaN deep-ultraviolet light-emitting diodes with bidirectional-staircase-barrier structure. Journal of Luminescence 2023, 119699.
7、Yiwei Cao, Quanjiang Lv, Tianpeng Yang, Tingting Mi, Xiaowen Wang, Wei Liu, Junlin Liu. Effect of EBL thickness on the performance of AlGaN deep ultraviolet light-emitting diodes with polarization-induced doping hole injection layer. Micro and Nanostructures,2023,207489.
8、Yiwei Cao, Quanjiang Lv, Tianpeng Yang, Tingting Mi, Xiaowen Wang, Wei Liu, Junlin Liu. Realization of high-efficiency AlGaN deep ultraviolet light-emitting diodes with polarization-induced doping of p-AlGaN hole injection layer. Chinese Physics B,2023.
9、Haohua Li,Baibo Ding,Jian Wu,Quanjiang Lv. Synthesis of MoO3/NiO nanolamella and their enhanced hydrogen sensing performance. Inorganic Chemistry Communications,2022,109967.

专著
教材

成果奖励  
发明专利 1、吕全江,刘军林,刘桂武,乔冠军.一种AlGaInP发光二极管芯片结构，ZL202110197610.5
2、吕全江,刘军林,刘桂武,乔冠军.一种薄膜型AlGaInP发光二极管结构及其制备方法，ZL202011621672.6
3、刘军林,吕全江.一种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及制造方法，ZL202011621672.6
4、刘军林,吕全江一种常开型硅衬底高电子迁移率晶体管及其制造方法，ZL202011320469.5
5、刘军林,吕全江一种常开型高电子迁移率晶体管及其制造方法，ZL202011320490.5
E-mail lvquanjiang@ujs.edu.cn
 
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